TFT-LCD生产中Cu制程成膜温度及膜厚对Cu膜表面形貌影响的研究

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【摘要】

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薄膜晶体场效应管制造过程中,一般采用磁控溅射方式进行金属栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)成膜.金属成膜过程中成膜温度、压力、功率对金属薄膜的结构及薄膜表面形

【作者】

：

何方

【机构】

：

210033,南京中电熊猫平板显示科技有限公司江苏南京

【出处】

：

数字化用户

【发表日期】

：

2017年31期

【关键词】

：

TFT-LCD Cu制程表面形貌

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薄膜晶体场效应管制造过程中,一般采用磁控溅射方式进行金属栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)成膜.金属成膜过程中成膜温度、压力、功率对金属薄膜的结构及薄膜表面形貌造成不同程度影响,本文主要研究成膜温度和膜厚对金属C u膜表面形貌的影响.实验结果发现在基板成膜温低(50℃)表面粗糙度较小,同时膜厚较低时C u表面粗糙度较小.探讨这些因素的作用机理,为TFT-LCD生产提供最佳的成膜工艺窗口.

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