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介绍了激光加热辅助引弧微爆炸加工技术，建立了温度场数学模型，使用有限元分析软件计算出了加工Si3N4陶瓷时的温度场分布，并研究了工艺参数对温度场的影响。仿真结果表明：用激光加热辅助引弧微爆炸加工使加工温度得到提高，从单独使用引弧微爆炸加工的12600℃提高到14381℃；其最高温度随着激光功率的增大而升高，随光斑尺寸的增大而减小，随激光加热点距引孤微爆炸加工点距离的增大先增大后减小，随进给速度的增大而减小。研究结果为揭示激光加热辅助引弧微爆炸加工机理和选择合理工艺参数提供了理论依据。