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用正电子湮没寿命技术研究了2.4×1015/cm2和2.2×1016/cm285MeV19F离子辐照GaP的辐照效应。结果表明，辐照在GaP中产生浓度较高的单空位，且随辐照剂量增大浓度增加。
85MeV^19F离子辐照GaP的正电子湮没研究
【摘 要】
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用正电子湮没寿命技术研究了2.4×1015/cm2和2.2×1016/cm285MeV19F离子辐照GaP的辐照效应。结果表明，辐照在GaP中产生浓度较高的单空位，且随辐照剂量增大浓度增加。
【机 构】
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中国原子能科学研究院核物理研究所
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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2001年4期
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