论文部分内容阅读
首尔半导体目前宣布，美国得克萨斯法院经审议决定，活性层使用InGaN的LED在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。InGaN是组成白，蓝、绿色和紫外光LED活跃层的必要物质。作为上述美国得克萨斯法院审判对象的美国专利5，075,742（以下简称“742专利”）包含了在日本、德国、英国，法国的专利家族。