【摘 要】
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通过在PIN结构非晶硅(a-Si)电池的透明导电电极(TCO)和P-型非晶Si层间插入一层Nb掺杂的TiO2层,用于改善界面性质并提高电池转化效率。系统研究了不同厚度的Nb掺杂TiO2层薄膜
【机 构】
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湖北大学物理与电子技术学院,湖北大学材料科学与工程学院
【基金项目】
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教育部基金(211108,20134208110005),湖北省科技厅基金(No:2011BAB032)支持
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通过在PIN结构非晶硅(a-Si)电池的透明导电电极(TCO)和P-型非晶Si层间插入一层Nb掺杂的TiO2层,用于改善界面性质并提高电池转化效率。系统研究了不同厚度的Nb掺杂TiO2层薄膜的透光性以及在有光照和无光照时的I-V特性。此外,也比较了具有相同厚度的Nb-TiO2,Zn-TiO2以及纯的TiO2薄膜的光电响应。研究结果表明,厚度为6 nm的Nb-TiO2纳米薄膜具有最佳的光电响应。具有不同厚度Nb-TiO2插入层的非晶硅薄膜电池的性能测试表明,插入6 nm厚Nb-TiO2纳米薄膜的电池有效减小
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