GaN基肖特基势垒二极管的漏电流传输与退化机制

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：BONNIE111

【摘要】

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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技

【作者】

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任舰苏丽娜李文佳闫大为顾晓峰

【出处】

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半导体光电

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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GaN AlGaN/GaN 漏电流肖特基势垒二极管退化

【基金项目】

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江苏省高等学校自然科学研究面上项目(17KJB510007,17KJB535001,18KJB510005)

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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技术领域,包括主机、控制电路和计算机三部分组成,主机包括由棱镜。敏感膜敏感芯片、半导 Ue*M#

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