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【摘 要】
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研究了最大栅电流应力 (即 p MOSFET最坏退化情况 )下 p MOSFET栅电流的退化特性 .实验发现 ,在最大栅电流应力下 ,p MOSFET栅电流随应力时间会发生很大下降 ,而且在应力初期
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所,西安电子科技大学微电子所,西安电子科技大学微电子所,西安电子科技大学微电子所 西安710071,西安710071,西安710071,西安710071
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年10期
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