【摘 要】
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片状β-SiC可通过使用石墨纸（C）作为碳源、正硅酸乙酯水解制得的SiO2溶胶-凝胶作为硅源、经微波加热合成。本文根据加热过程中微波炉加热温度、输入功率和反射功率的变化曲线,
【机 构】
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郑州航空工业管理学院航空材料与应用技术重点实验室; 郑州大学材料科学与工程系;
【基金项目】
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国家自然科学基金(51712113; 51602287);郑州航空工业管理学院研究生教育创新计划基金(2015CX21)
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片状β-SiC可通过使用石墨纸（C）作为碳源、正硅酸乙酯水解制得的SiO2溶胶-凝胶作为硅源、经微波加热合成。本文根据加热过程中微波炉加热温度、输入功率和反射功率的变化曲线,探讨了微波合成片状β-SiC过程中微波加热热效应。分别选择1100°C、1200°C、1300°C、1400°C和1500°C五个微波烧结温度,研究了相同保温时间下不同加热温度对微波合成片状β-SiC的影响。在烧结温度1300°C下,选取保温时间分别为0 min、10 min、30 min和60 min,探索了同一合成温度下不同保温时间对微波合成片状β-SiC的影响。采用XRD,SEM技术对样品进行了表征。结果发现,烧结温度为1100°C时,产物中合成了片状β-SiC;当烧结温度为1400°C时,片状β-SiC转化为β-SiC颗粒。过高的烧结温度和过长的保温时间都将导致β-SiC的氧化。在1300°C保温30 min条件下得到的片状β-SiC生长最好。
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