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半导体在外磁场作用下，由于磁致双折射效应（Voigt效应），介电常数会发生改变．由此，提出了一种可由磁场调控的多频率隐身斗篷．理论和模拟的结果可以证明由高磁导率的锑化铟InSb制成的斗篷可以在多个频率下有效地减少系统总的散射截面．这些频率可以被外部控制，因为InSb的介电常数可以被外加磁场调控．这一研究可以提供一种潜在的设计多频率隐身斗篷的应用．