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P型金属氧化物半导体材料如NiO、Cu2O和MoO3等具有优异的电学、磁学以及催化性能，近年来成为相关领域研究的热点。Cu2O是一种典型的P型半导体材料，禁带宽度为2．1eV，在可见光区的吸收系数较高，能量转化率理论上可达10％。此外，通过控制制备工艺可使Cu2O的电阻率在10^3～10^13Ω·cm范围内变化，被认为是制备太阳能电池的潜在材料。