【摘 要】
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为解决ZnO电阻片在高能量冲击下侧面釉出现裂纹的现象,通过掺杂调整无机高阻层的绝缘及发热性能,降低侧面局部膨胀性.结果表明:高阻层采用配方与本体接近的原材料,Bi2 O3-Sb2
【机 构】
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金冠电气股份有限公司,河南 南阳473000
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为解决ZnO电阻片在高能量冲击下侧面釉出现裂纹的现象,通过掺杂调整无机高阻层的绝缘及发热性能,降低侧面局部膨胀性.结果表明:高阻层采用配方与本体接近的原材料,Bi2 O3-Sb2 O3-MnO2-Ni2 O3系统,掺杂ZrO2、PM-10硼酸锌玻璃,绝缘性较好,大电流冲击时发热较小,膨胀也较小,侧面的有机釉经受的张应力也减小,降低了高能量冲击下侧面釉层的裂纹现象.
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