【摘 要】
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在半导体光放大器中当光脉冲小于10 ps时除了考虑线性增益饱和效应,还必须考虑超快增益压缩效应.本文用数值方法分析了超快增益压缩效应对THz光非对称解复用器(TOAD)的开关特
【基金项目】
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foundation from Ministry of Education and National Key Lab in Integ Opeoelectronics in China;
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在半导体光放大器中当光脉冲小于10 ps时除了考虑线性增益饱和效应,还必须考虑超快增益压缩效应.本文用数值方法分析了超快增益压缩效应对THz光非对称解复用器(TOAD)的开关特性.经过细致的参数优化,采用2.5 ps控制光,可以克服开关窗的分裂效应,得到一个宽度为2.0 ps,消光比为13. 7 dB的开关窗.
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