低辐射DGS及其串扰分析

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在传统哑铃形缺陷接地结构(DGS)的基础上,设计出一种新型低辐射DGS。该结构既具有传统DGS的优良电路性能,又大大降低了由于接地面蚀刻缺陷图案而引起的无意辐射。进一步仿真分析了低辐射DGS的串扰,结果表明低辐射DGS近端串扰峰值电压较哑铃形DGS下降60%,远端串扰峰值电压下降了36.8%,证明低辐射DGS能大大降低由于DGS的应用对周围电路产生的影响。与接地面完整的平行微带线相比,低辐射DGS近端串扰略大,但远端串扰在4~6 GHz频段内存在阻带,当受扰线工作在远端串扰的阻带频段内,对远端串扰的抑制效果十分明显。 Based on the traditional dumbbell-shaped ground fault structure (DGS), a novel low-emission DGS is designed. The structure not only has the excellent circuit performance of the conventional DGS, but also greatly reduces unintentional radiation caused by etching the defect pattern on the ground surface. The crosstalk of low-emission DGS was further simulated. The results show that the peak voltage of low-emission DGS near-end crosstalk is reduced by 60% and the far-end crosstalk peak voltage is decreased by 36.8%, which proves that low-radiation DGS can greatly reduce the crosstalk due to the application of DGS Effects of surrounding circuits. Compared with the complete parallel microstrip line on the ground plane, the near-end crosstalk of the low-emission DGS is slightly larger, but the far-end crosstalk has a stop band in the band of 4 to 6 GHz. When the disturbed line works in the far-end crosstalk stopband band , The far-end crosstalk suppression effect is very obvious.
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