【摘 要】
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用新研制的五通道碘化汞(HgI2)半导体探测器阵列分别观测了在欧姆加热、弹丸注入及离子回旋共振加热(ICRH)条件下,HL-1M等离子体中的超热电子引起的能量在10～150keV范围内的X
【机 构】
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核工业西南物理研究院,成都,610041
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用新研制的五通道碘化汞(HgI2)半导体探测器阵列分别观测了在欧姆加热、弹丸注入及离子回旋共振加热(ICRH)条件下,HL-1M等离子体中的超热电子引起的能量在10～150keV范围内的X射线辐射强度的时空变化,及超热电子辐射的X射线能谱.结果显示,在ICRH期间,等离子体边缘的X辐射增强,超热电子的温度大约为30keV,ICRH的能量沉积在等离子体边缘.
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