28 nm技术节点微小多晶硅桥连缺陷检测与改进方法的研究

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针对28nm技术节点产品上多晶硅微小桥连缺陷,应用电压衬度与光学检测系统,探索了缺陷检测方法的开发流程,建立了缺陷监控指标,并据此评估了缺陷的改善方案。对缺陷检测方法开发流程进行了创新:通过电压衬度系统进行精确扫描,检测出的微小桥连缺陷经电子束表面标记,被用于光学检测系统进行扫描条件开发,最终确定的光学扫描方法被用于缺陷监控与缺陷改善。根据实验结果,进一步推论了缺陷形成的机理,优化了光刻与干刻工艺条件,更换了全新类型的光阻材料,从而使缺陷问题得到解决。电子束扫描所提供的电压衬度像为扫描程式的开发提供了较高
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