【摘 要】
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采用磁控溅射在以硅为基底的纳米线上成功制备出具有核-壳结构的Al/Cu_xO(x=1,2)复合含能材料,而纳米线则通过直接氧化Cu膜得到。通过比较两种不同的镀膜方法(磁控溅射及电子
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采用磁控溅射在以硅为基底的纳米线上成功制备出具有核-壳结构的Al/Cu_xO(x=1,2)复合含能材料,而纳米线则通过直接氧化Cu膜得到。通过比较两种不同的镀膜方法(磁控溅射及电子束蒸发)对纳米线生长的影响,发现利用电子束蒸发沉积的Cu膜更有利于纳米线的生长。同时,纳米线的密度、直径和长度可以通过调节电子束流来改变,纳米线最大直径可达50nm,最长可达2μm。通过对核-壳结构的Al/Cu_xO(x=1,2)复合含能材料进行DSC检测,发现整个图谱只有1个放热峰,放热起始温度为450℃,共放出热量1263J/g。
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