【摘 要】
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用无压烧结技术制备氧化锌（ZnO）,氧化锑（Sb2O3）及ZnO-Sb2O3掺杂的氧化锡（SnO2）基陶瓷材料。用Archimedes排水法测定样品的相对密度（ρr）。用van der Pauw法测量SnO2基陶瓷材料的电阻
【机 构】
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武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室; 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室 武汉430070; 武汉430070;
【基金项目】
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省科技厅攻关(2005AA401D61)资助项目。
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用无压烧结技术制备氧化锌（ZnO）,氧化锑（Sb2O3）及ZnO-Sb2O3掺杂的氧化锡（SnO2）基陶瓷材料。用Archimedes排水法测定样品的相对密度（ρr）。用van der Pauw法测量SnO2基陶瓷材料的电阻率（R）。用扫描电镜测试研究SnO2基陶瓷材料的显微结构、晶体结构,并分析材料的结构与性能的内在联系。研究表明:ZnO作为烧结助剂能显著地提高材料的烧结性能,材料的ρr随ZnO掺量的增加先升高后降低,当ZnO的掺量（摩尔分数,下同）为1.0%时,样品的ρr最佳。材料的ρr随Sb2O3的增加而逐渐降低,R随Sb2O3的增加呈现出先降低后升高再降低的变化趋势。Sb2O3的掺量为0.5%时,ρr与R均较好;1.0%ZnO-0.5%Sb2O3的复合掺杂,在1400℃无压烧结即可得到ρr为97%、室温R为0.109 9Ω·cm的致密SnO2基导电陶瓷材料。
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