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提出了一种新型的应用于虚拟地闪存结构的读保护电路,电路采用双电压读保护技术及位线压降跟踪技术减少侧边漏电。提出的读保护电路在0.09μm的嵌入式闪存平台上实现。测试结果表明:该读保护电路可以将侧边漏电控制在0.3μA以内。
一种应用于虚拟地闪存结构的读保护电路设计
【摘 要】
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提出了一种新型的应用于虚拟地闪存结构的读保护电路,电路采用双电压读保护技术及位线压降跟踪技术减少侧边漏电。提出的读保护电路在0.09μm的嵌入式闪存平台上实现。测试结
【机 构】
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上海华虹宏力半导体制造有限公司,武警工程大学
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2016年5期
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