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本文介绍了快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管(ELED)的研制过程,通过有源区重掺Zn杂质和引进台面结构,提高了器件的调制频率,使-3dB调制带宽达500MHz,70mA电流下输出功率为130μW。更多还原
快速1.3μmInGaAsP／InP台面边发光二极管
【摘 要】
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本文介绍了快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管(ELED)的研制过程,通过有源区重掺Zn杂质和引进台面结构,提高了器件的调制频率,使-3dB调制带宽达500MHz,70mA电流下输出功
【机 构】
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吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系长春东北师范大学电化教育系（长春）,长春,长春
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1990年8期
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