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在微弧氧化法制备TiO2光催化薄膜的过程中，采用向电解液中添加氧化物的方法对薄膜进行改性。实验结果表明，过渡金属、重金属及稀土元素掺杂可在不同程度上影响薄膜的光催化性能，其中，V，Ag，Ce元素掺杂可使光催化120min的降解率提高10％以上。采用半导体掺杂也能很好地提高Ti02薄膜的光催化性能，其中以SnO2效果最好。实验表明，V205添加量在O．5mmol／L或sn02添加量在1．0mmol／L时，生成的Ti02薄膜光催化效果最好。XRD及SEM分析表明，掺杂不改变TiO2晶型，改性后的TiO2光催化