【摘 要】
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目的 探讨认知矫正治疗对精神分裂症患者工作记忆相关脑区活动的影响.方法 对10例病情稳定的慢性精神分裂症患者进行为期6个月的认知矫正治疗,分别于治疗前后进行韦克斯勒记
【机 构】
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北京回龙观医院研究中心,解放军第三○六医院放射科磁共振室暨教育部认知科学与学习重点实验室脑功能成像中心,北京回龙观医院心理科,北京回龙观医院科教办,北京大学精神卫生研究所
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目的 探讨认知矫正治疗对精神分裂症患者工作记忆相关脑区活动的影响.方法 对10例病情稳定的慢性精神分裂症患者进行为期6个月的认知矫正治疗,分别于治疗前后进行韦克斯勒记忆量表(WMS)测查及功能磁共振成像(fMRI)测量.结果 (1)WMS测查:治疗后再认[(8.11±4.34)分]和再生[(10.22±3.35)分]以及Benton错误[(3.75±2.92)分]均较治疗前[分别为(5.78±2.95)分、(8.56±3.21)分和(8.00±6.28)分]改善,均P＜0.05.(2)fMRI:治疗前后的反应时和正确率比较,差异无统计学意义(P＞0.05).治疗后在高负荷条件下,背侧前额叶皮质(DLPFC)区域(Brodmann46区)的激活范围(x,y,z=-51,36,15;k=40,t=7.21)小于治疗前的激活范围(x,y,z=-48,24,24,k=154,t=12.72),治疗前后DLPFC区域激活(x,y,z=-24,36,18,k=12,t=3.75)的差异有统计学意义(P＜0.005);在低负荷条件下,治疗前后DLPFC区域激活的差异无统计学意义(P＞0.05).结论 认知矫正治疗能改善精神分裂症患者工作记忆相关脑区的活动.
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