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利用工艺仿真软件Tsuprem4，针对氧化、退火等工艺进行仿真及校准，并据此对LDMOSFET进行了设计及工艺仿真。结合Medici得到LDMOSFET的结构参数以及相应电学参数，与研制结果进行了比较，仿真结果与实际研制结果吻合较好，实现了在工作频率1GHz，VDD=28V条件下，输出功率Po=10W，Gp=10dB，η=55％的良好性能。