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氧化铟纳米线(In_(2)O_(3)NWs)因具有合适的禁带宽度、较高的电子迁移率等优异的电学性能,可应用于晶体管、存储器、传感器等而备受关注,成为研究的热点。本实验通过简单易行的化学气相沉积法生长了In_(2)O_(3)纳米线,结合电子束光刻(EBL)成功制备了In_(2)O_(3)纳米线场效应晶体管器件(Field effect transistor,FET),利用溅射系统在In_(2)O_(3) FET上沉积不同厚度的Pt,研究了Pt纳米颗粒对In2O3 FET电学性能的影响。利用扫描电子显微镜、X