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GaN外延薄膜的研究进展
GaN外延薄膜的研究进展
来源 :中国照明 | 被引量 : 0次 | 上传用户:pstolyb
【摘 要】
:
首先回顾GaN外延薄膜生长工艺。然后综述了高质量GaN外延薄膜生长技术的最新重要进展,主要的新技术有:横向外延生长技术;柔性衬底技术;多缓冲层技术;短周期超晶格(SPS)技术;沟道接触
【作 者】
:
胡加辉
【机 构】
:
世纪晶源科技有限公司
【出 处】
:
中国照明
【发表日期】
:
2006年9期
【关键词】
:
GAN
外延生长
进展
短周期超晶格技术
薄膜生长
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首先回顾GaN外延薄膜生长工艺。然后综述了高质量GaN外延薄膜生长技术的最新重要进展,主要的新技术有:横向外延生长技术;柔性衬底技术;多缓冲层技术;短周期超晶格(SPS)技术;沟道接触结技术以及四组分AlInGaN合金技术,最后对GaN外延薄膜生长技术的发展方向及应用前景提出了展望。
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