自从1960年第一块集成电路问世以来,集成电路工业飞速发展,不断遭遇新的要求和挑战。至今仍在应用的传统双极工艺,能够同时提供纵向NPN晶体管和横向PNP晶体管,在实际应用过程中,在遇到要求高输出电流,大驱动能力的电路时,横向PNP晶体管的性能成为电路设计的瓶颈。研究表明在传统的双极工艺中,由于基区浓度由外延本身决定,因此掺杂浓度相对较低。同时横向结构决定了基区的宽度相对于纵向结构而言,大大的增加。因此导致了PNP双极晶体管的输出性能差强人意。基于上述分析,在对传统的结构进行修改之后,以增加工艺复杂性为代价,在保证原有结构的情况下,能够得到性能令人满意的纵向PNP晶体管。增加一个BLN2层次,以满足纵向PNP晶体管对于隔离的要求,增加NB层次,从而得到掺杂浓度远高于外延层的纵向PNP晶体管的基区。从而避免了横向PNP晶体管的缺陷。主要结论为:通过合理地安排工艺步骤,能够在对原有结构不产生影响的情况下,得到性能令人满意的纵向PNP晶体管。相比于原有的横向PNP晶体管,输出特性得到极大改善。