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考察了在600℃以下通过反应AlCl3＋NH3→AlN＋3HCl制备AlN纳米锥的规律，结果表明在500℃时仍可获得AlN纳米锥，当温度为480℃时则无氮化物生成。场发射测试显示在500～600℃温区内制得的AIN纳米锥的开启电场处于14．2～20V·μm^-1范围，且随制备温度升高而减小。结果表明AlN纳米锥可在低温条件下获得，且具有较好的场发射性能。