新型HfO2栅介质电特性的理论分析与实验研究

来源 :西安电子科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zz33xx

【摘要】

：

对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究，理论分析的界面态分布与实验结果吻合．利用高频C-V法计算了平带电压

【作者】

：

蔡乃琼刘红侠

【机构】

：

西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

【出处】

：

西安电子科技大学学报

【发表日期】

：

2008年3期

【关键词】

：

二氧化铪 C-V特性界面态氧化层陷阱 HfO2 C-V characteristics interface states oxide traps

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对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究，理论分析的界面态分布与实验结果吻合．利用高频C-V法计算了平带电压漂移量、氧化层内陷阱电荷密度和界面态密度，比较了不同工艺条件下样品的电参数．结果表明NH4F表面预处理和高温退火新型工艺可以显著降低界面态和氧化层陷阱电荷，从而降低栅极漏电流．

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