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1引言对掺杂晶体,由于杂质离子的大小及其所带电荷与它所替代的基质晶体离子不同,这些杂质离子附近的局部结构和局部性质(如局部热膨胀系数和局部压缩率)就会与基质晶体的数据不一样[1~3].研究这些杂质中心的局部结构(或称缺陷结构)和局部性质对认识杂质与基质晶体的相互作用,进而认识材料掺杂改性的微观机制是有意义的.