源漏区域孔阵列挖槽对氮化镓n型欧姆接触的影响

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：young1592

【摘要】

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采用源漏区域孔阵列挖槽的方法降低氮化镓n型欧姆接触的合金温度,并改善合金后金属形貌。相对于非源漏区域孔阵列挖槽的氮化镓n型欧姆接触合金,合金温度可降低40℃,合金后源

【作者】

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黄念宁韩克锋蔡立康王彦硕

【机构】

：

南京电子器件研究所,

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2017年03期

【关键词】

：

孔阵列挖槽接触电阻合金温度金属形貌

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采用源漏区域孔阵列挖槽的方法降低氮化镓n型欧姆接触的合金温度,并改善合金后金属形貌。相对于非源漏区域孔阵列挖槽的氮化镓n型欧姆接触合金,合金温度可降低40℃,合金后源漏金属形貌尤其是金属侧边形貌显著改善,这对于提高相关器件及电路性能、成品率及可靠性很有好处。

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