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采用直流磁控溅射技术在单晶硅衬底上沉积Ni-Mn-Ga铁磁性形状记忆薄膜。试验结果表明，Ar工作压强对Ni-Mn-Ga薄膜化学成分有显著影响。Ni含量随Ar工作压强的升高呈先增加后减少的趋势，Mn含量呈先减少后增加的趋势，Ga含量几乎呈线性减少的趋势。随Ar工作压强的升高，薄膜的e／a值逐渐增大，薄膜的相变温度逐渐升高，室温下可以获得具有四方结构马氏体相的Ni-Mn-Ga薄膜。