新疆平原区潜水蒸发研究

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以新疆平原区 7个地下水均衡试验场潜水蒸发观测资料为基础 ,分析了潜水蒸发的影响因素 ,给出了潜水蒸发极限深度、潜水蒸发系数及其与潜水位埋深间的经验公式。
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宽禁带半导体材料GaN作为第三代半导体材料具有传统半导体材料所不具备的优异性能,在高频、高压、高温和大功率器件领域具有重要的应用。介绍了硅基GaN(GaN-on-Si)器件提高性