论文部分内容阅读
采用传统陶瓷烧结工艺，制备了直径为50mm、厚度为3mm的Bi202陶瓷靶，利用该陶瓷靶和射频磁控溅射技术在Si（111）基体上制备了氧化铋薄膜，研究了溅射压力为0．8Pa时的氧分压对薄膜物相的影响，并探讨了退火温度（350-550℃）对薄膜的物相和表面形貌的影响。结果表明：随着氧分压从0增大到0．36Pa，薄膜由BiO相逐渐变成α-Bi2O3相；随着退火温度的升高，薄膜中出现了新的物相，仍为多相结构，不同相的衍射峰半高宽变化有增有减；薄膜的晶粒尺寸随退火温度的升高而增大。