【摘 要】
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为了建立一种28 nm工艺超大规模SRAM型FPGA块随机读取存储器（BRAM：Block Random Access Memory）模块的单粒子效应测试方法,实现敏感位的精确定位,通过研究逻辑位置文件和回读文
【机 构】
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工业和信息化部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室,华南理工大学电信学院
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为了建立一种28 nm工艺超大规模SRAM型FPGA块随机读取存储器（BRAM：Block Random Access Memory）模块的单粒子效应测试方法,实现敏感位的精确定位,通过研究逻辑位置文件和回读文件,建立了敏感位和FPGA逻辑地址的对应机制,推导出了对应的关系公式,并提出了一组针对BRAM模块的系统测试方法。该方法大幅度地提高了现有测试方法的效果,并且为器件失效机理的分析和下一步的器件加固设计提供了指导。
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