一种高线性化的CMOS共源共栅低噪声放大器

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文章提出了一种由调谐电感和PMOS管构成的3阶互调失真(IMD3)吸收单元来提高线性度。该结构接于传统CMOS共源共栅低噪声放大器(CMOS Cascode LNA)共源级输出端,它通过吸收漏级上IMD3电流信号来提高CMOS LNA的线性度。调谐该线性化单元中的电感可减小源简并电感型共源放大器中2阶非线性引起的3阶互调失真。采用SMIC 0.18 um RFCMOS标准工艺,设计了一个带有IMD3吸收单元的CMOS CascodeLNA。使用Agilent ADS高频仿真环境的仿真结果表明,在中心频率为1.57 GHz,1.8 V供电电压下,相比传统的CMOSCascode LNA,新结构的IIP3提高约10 dB,而电流消耗增加1.3mA,增益下降1.8dB,NF略微增大。
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