0.35μm SOI CMOS器件建模技术研究

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wingkong

【摘要】

：

介绍了SOI技术的优势和器件建模的意义.针对0.35μm SOI CMOS工艺的开发,设计了用于建模的测试芯片.对于SOI MOSFET中存在的自加热等寄生效应设计了参数提取的流程,并设计了

【作者】

：

杨立斌苏海伟唐威吴龙胜刘佑宝

【机构】

：

西安微电子技术研究所

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

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2009年3期

【关键词】

：

SOI 建模 BSIMSOI SOI device modeling BSIMSOI

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介绍了SOI技术的优势和器件建模的意义.针对0.35μm SOI CMOS工艺的开发,设计了用于建模的测试芯片.对于SOI MOSFET中存在的自加热等寄生效应设计了参数提取的流程,并设计了相应的测试方法.在得到所需的测试数据后,采用局部优化方法进行参数提取.最后通过模型仿真结果和测试数据的比较证明了建立的0.35μ mSOI CMOS模型有较高的精度.

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