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传统MOSFET结构正以较快的发展速度接近其物理极限,而单电子器件将成为新型的高性能集成化器件结构.本文采用量子点及其库伦阻塞效应等概念对单电子器件的工作原理进行了系统分析,并介绍了单电子器件在存储器和高灵敏度静电计方面的应用,最后指出了单电子器件的新发展方向及所面临的问题.
集成化单电子器件研究进展
【摘 要】
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传统MOSFET结构正以较快的发展速度接近其物理极限,而单电子器件将成为新型的高性能集成化器件结构.本文采用量子点及其库伦阻塞效应等概念对单电子器件的工作原理进行了系统
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2004年4期
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