绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性模拟分析

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ssqq56

【摘要】

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利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe (SGOI)和Si (SOI) p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明,与传统的SOI p-MOSFET相比,SGOI p-MOSFET的漏源饱和电

【作者】

：

于杰王茺杨洲陈效双杨宇

【机构】

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云南大学光电信息材料研究所,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2013年4期

【关键词】

：

SGOI P-MOSFET Ge合金组分 Drain current Electric properties G

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利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe (SGOI)和Si (SOI) p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明,与传统的SOI p-MOSFET相比,SGOI p-MOSFET的漏源饱和电流几乎要高出两倍；其亚阈值电流要高出1～3个数量级.Ge合金组分作为应变SiGe沟道MOSFET的重要参数,就不同Ge合金组分对SGOI p-MOSFET的电学特性的影响也进行了较为深入的研究.随着Ge合金组分的增大,SGOI p-MOSFET的总体电学性能有所提高.

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