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氮化硅材料相比硅材料具有插入损耗低、热稳定性好、制作容差大及相对误差容忍度高的优点，引起了人们广泛的关注和极大的研究兴趣.光栅耦合器作为光芯片与片外光源的接口，以其优良的光耦合性能、放置位置灵活和便于晶圆级在线测试等诸多优点，在很多应用领域已经占据了越来越重要的位置.本文设计了一种基于氮化硅材料的垂直耦合的光栅耦合器，采用变迹光栅结构，实现了对入射光的垂直耦合.在1 550 nm波长处，在带有衬底金属反射镜的情况下单向传输的耦合效率达到了79.5%，不引入金属反射镜的器件仍然能达到57.8%的耦合效率值，