Ge_0.4Si_0.6/Si多量子阱与Ge/Si短周期超晶格样品中的深中心

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【摘要】

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用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了分子束外延生长的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱与Ｇｅ／Ｓｉ为超晶格样品中深能级中心的性质，在种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心，在Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱样品深中心Ｅ２的能级位

【作者】

：

王海龙司俊杰

【机构】

：

中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1999年9期

【关键词】

：

硅量子阱应变超晶格 DLTS 外延生长

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用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了分子束外延生长的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱与Ｇｅ／Ｓｉ为超晶格样品中深能级中心的性质，在种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心，在Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱样品深中心Ｅ２的能级位置为ＥＣ－０．３０ｅＶ，Ｅ３的能级位置为Ｅｃ－０．２２ｅＶ，并且在正向注入下随着Ｅ２峰的消失到一个少数载流子峰ＳＨ１，其能级位置为ＥＶ＋０．６８ｅＶ，在Ｇｅ／

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