【摘 要】
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对于晶圆级封装中硅基盖帽的制备工艺,采用NaOH腐蚀体系对Si衬底进行湿法深腐蚀,研究了腐蚀液质量分数、添加剂添加量及腐蚀温度对腐蚀速率和形貌的影响.针对深腐蚀中掩膜易
【机 构】
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云南师范大学云南省光电信息技术重点实验室,昆明,650500;云南师范大学云南省光电信息技术重点实验室,昆明 650500;昆明物理研究所,昆明 650223;昆明物理研究所,昆明,650223
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对于晶圆级封装中硅基盖帽的制备工艺,采用NaOH腐蚀体系对Si衬底进行湿法深腐蚀,研究了腐蚀液质量分数、添加剂添加量及腐蚀温度对腐蚀速率和形貌的影响.针对深腐蚀中掩膜易脱落的缺点,提出了一种先用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积SiO2介质层,再用磁控溅射生长CrAu金属层的方法,SiO2介质层和CrAu金属层作为双层掩膜.研究结果表明:硅的腐蚀速率随温度的增加呈指数增加,在饱和NaOH溶液中腐蚀速率最快,腐蚀速率可达15 μm/min.最终腐蚀出表面平整、界面清晰的硅基盖帽,盖帽空间面积为2 cm×2 cm,深度超过100 μm,复合掩膜层没有开裂、脱落现象,具有优异的抗腐蚀性.该腐蚀工艺对红外焦平面阵列(IRFPA)探测器晶圆级封装具有重要的应用价值.
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