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根据太赫兹时域光谱系统（TDS）的测量原理,提出了一个考虑F-P效应的半导体材料参数测量方案。利用该方案可以在时域波形中,截取多个反射回峰,以提高材料参数提取的精确度。另外,考虑到多重反射对样品厚度的准确性要求较高,提出了一种有效的厚度优化方法。以GaAs为待测样品,利用上述方法精确提取了其折射率与消光系数谱。并采用返波振荡器（BWO）作为太赫兹辐射源对相同样品进行测量,有效的验证了使用TDS系统对半导体材料参数测量的准确性。