【摘 要】
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采用溶胶-凝胶工艺制备出高可见光透过率、低电阻率的Sn-Al共掺杂ZnO透明导电薄膜（ZASO薄膜）,分析了退火真空度对薄膜的晶体结构、光电性能的影响.结果表明：真空退火不改变ZnO晶
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采用溶胶-凝胶工艺制备出高可见光透过率、低电阻率的Sn-Al共掺杂ZnO透明导电薄膜（ZASO薄膜）,分析了退火真空度对薄膜的晶体结构、光电性能的影响.结果表明：真空退火不改变ZnO晶体的本质,但退火真空度对薄膜光电特性有显著影响.退火真空度越高方块电阻越小,在较高真空环境中退火得到的ZASO薄膜方块电阻可低至0.7 kΩ·□^-1.高真空退火时,薄膜的透光率较高,可见光平均透过率可达93%左右.
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