低压水射流辅助激光刻蚀加工多晶硅工艺参数的优化

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利用低压水射流辅助激光刻蚀加工技术对多晶硅进行刻蚀加工,通过正交试验分析了激光脉宽、频率、输入电流和水射流速度对加工表面质量的影响,得到了最终优化工艺参数。结果表明:最终优化工艺参数为低压水射流速度24m·s-1、激光脉宽1.1ms、频率40Hz、电流180A,此时槽体截面锥度、表面粗糙度、截面深度分别为1.2°,2.63μm,1.88mm,槽体表面质量较好,边缘无开裂、无熔渣、无重铸层等缺陷。
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