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研究了不同的表面处理方法及离子注入对AlGaN／GaNHEMT肖特基特性的影响。在栅金属化前，采用不同的表面处理方法进行实验，发现通过表面处理，栅肖特基特性得到一定的改善，但还不能从根本上解决漏电大、理想因子偏高的问题。进一步实验发现，硼离子注入才是导致栅肖特基特性变差的主要因素，通过对离子注入的优化，器件栅金属化后的理想因子减小到1．6，栅源反向电压为-20V时，反向泄漏电流为2．8×10^-6A。