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系统研究了Gd5Ge4合金的晶体结构和低温磁化行为。结果表明，Gd5Ge4具有相分离特征，低温下出现反铁磁（AFM）和铁磁（FM）共存现象。由于相分离的存在导致127K时发生奈尔反铁磁转变。在外磁场诱导下，在4．2K以下发生AFM-FM磁转变，并导致台阶式磁化现象发生，但仅发生在第一次外加磁场增加过程中，表现出磁不可逆性。随磁场升高，在10K以下体系存在类台阶式响应和不可逆的磁滞行为，并在5572kA／m下均达到饱和磁化。在温度50～60K温区，磁循环所出现的台阶式磁化转变则是完全可逆的，更高温区域则表现