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为适应PMOS变容管在集成电路设计中的晶体管级仿真,在分析MOS变容管特性的基础上,通过确定关键点、以曲线拟合的方法建立与工艺参数相关的PMOS集成变容管高频特性模型。选用Charted 0.35μm这个特定的工艺库,并离散地改变电容连接的PMOS静态偏压、用HSpice仿真并对寄生电容提取后描绘出变容特性的准静态曲线;用Matlab对所建的简化高频变容模型进行仿真、得出高频变容曲线。仿真与理论结果相比较表明：PMOS管变容特性曲线与理论曲线的变化趋势吻合;2种仿真对变容显著区吻合较好。从而证明了PMOS