Si衬底（Pb1—xSrx）TiO3系铁电薄膜的制备与性能研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qianjiuzhou

【摘要】

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性能优良的Si衬底铁电薄膜的制备对制作Si基单片集成非制冷焦平面阵列(UFPA)器件意义重大.文中采用磁控测射技术在Si衬底上成功地制备了(Pb1-xSrx)TiO3系铁电薄膜,该薄膜以LS

【作者】

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王茂祥陈淑燕孙平

【机构】

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东南大学电子工程系,南京师范大学江苏省光电重点实验室

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

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2004年1期

【关键词】

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硅衬底铁电薄膜 (Pb1—xSrx)TiO3 磁控测射 (Pb 1-x Sr x)TiO3 ferroelectric thin films Si-base

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性能优良的Si衬底铁电薄膜的制备对制作Si基单片集成非制冷焦平面阵列(UFPA)器件意义重大.文中采用磁控测射技术在Si衬底上成功地制备了(Pb1-xSrx)TiO3系铁电薄膜,该薄膜以LSCO/ITO复合薄膜作底电极,Au薄膜作顶电极,其制备工艺可与Si微电子技术兼容.测试结果表明,其微观结构致密.绝缘性较好.电阻率可高达10 11Ω·cm量级,介电常数与热释电系数分别可达102及10-2μC/cm2K量级.

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