半导体器件模型的改进迭代方法

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zx20060522
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考虑的半导体器件模型以Slotboom变量和电势为求解变量。求解泊松方程时,电子和空穴浓度由电连续性方程的解得到,因而泊松方程是线性的,因此可以获得较满意的泊松方程的解,从而提高计算结果的精度。另外,在每一次Gummel循环开始,迭代初值进行一次修正,即经过Gummel迭代得到的电子和空穴浓度值,不直接用作下一次迭代的初值,而先进行极小化处理,从而加快了收敛速度。最后,给出一个数值例子。
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