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对p型半导体制作的硅锥阵列的场致发射的饱和特性进行了系统的研究,并讨论这种特性设计的新型高灵敏度低噪声的光电探测器的理论依据,为如何利用半导体场致发射开发新型结构器件提供新的启示.
半导体场致发射的饱和特性及应用
【摘 要】
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对p型半导体制作的硅锥阵列的场致发射的饱和特性进行了系统的研究,并讨论这种特性设计的新型高灵敏度低噪声的光电探测器的理论依据,为如何利用半导体场致发射开发新型结构
【机 构】
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西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系
【出 处】
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云南大学学报(自然科学版)
【发表日期】
：
1992年S1期
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