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为了分析了发射极条宽、条长、条数等横向结构参数对SiGeHBT小信号模型参数的影响，通过Jazz0．35μm BiCMOS SiGeHBT的y参量，得出了在不同横向结构参数下SiGeHBT的小信号模型参数．结果表明：增加发射极条宽、条长、条数时，小信号模型中的等效电阻值减小、等效电容增大、跨导也增大．在此基础上，分析了SiGeHBT横向结构参数对合成的有源电感特性的影响．在设计不同性能的有源电感时，所得结果对有源器什横向结构参数的选取有一定的指导意义．